FRANKFURT - Der Kurs von Aixtron DE000A0WMPJ6 hat sich am Mittwoch nach Verlusten bis zu rund 10 Prozent bis zum Handelsschluss ein gutes Stück erholt.

AKTIE IM FOKUS 2: Aixtron-Kurs fängt sich - GaN-Sorgen nur vorübergehend

(Neu: Reaktion von Aixtron, Hintergrund GaN-Chips, Kurs aktualisiert)

FRANKFURT (dpa-AFX Broker) - Der Kurs von Aixtron DE000A0WMPJ6 hat sich am Mittwoch nach Verlusten bis zu rund 10 Prozent bis zum Handelsschluss ein gutes Stück erholt. Die Papiere schlossen mit 15,01 Euro und damit gut zwei Prozent im Minus. Zuvor war der Kurs zeitweise auf den niedrigsten Stand seit Januar 2021 abgesackt.

Thema am Markt war eine Mitteilung von Infineon, die Anleger nervös machte. Der Chipkonzern teilte mit, dass im Bereich der Galliumnitrid-Wafer-Fertigung ein möglicher Meilenstein für die Branche gelungen sei. Infineon bezeichnete sich als erstes Unternehmen weltweit, das 300-mm-Galliumnitrid-Wafer-Technologie (GaN) in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht. Das Unternehmen will dies dazu nutzen, um die Effizienz des Kapitaleinsatzes in der GaN-Produktion zu maximieren. Laut Infineon ist die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern technologisch fortschrittlicher als auf 200-Millimeter-Wafern.

Unter Händler entbrannte daraufhin eine Debatte, was dies für Aixtron und die Kunden des Anlagenbauers bedeutet, wenn Infineon bestehende Anlagen für diese Technologie nutzt und der Konkurrenzdruck auf einen Hauptkunden von Aixtron, Chiphersteller Wolfspeed US9778521024, damit wachsen könnte. Insgesamt seien die Folgen für Aixtron, falls es überhaupt welche geben werde, aber noch schwer abschätzbar, so ein Börsianer.

Aixtron betonte dann aber auf Anfrage der Finanz-Nachrichtenagentur dpa-AFX dann, dass an Maschinen zur Fertigung von 300-Millimeter-Wafern gearbeitet werde und Pilotanlagen bei einigen Kunden stünden. Grundsätzlich untermaure die aktuelle Entwicklung bei Infineon die Erwartung eines künftig starken Marktwachstum für Elektronikchips auf GaN-Basis.

So haben Leistungs- und Hochfrequenz-Elektronikchips auf GaN-Basis klassische Siliziumteile in Schnelllade-Netzteilen etwa von Smartphones mittlerweile ersetzt. Sie spielen zudem eine zunehmend wichtige Rolle bei KI-Servern, in Solaranlagen sowie in der Elektromobilität, denn sie sind kleiner und temperaturbeständiger und damit effizienter als klassischer Siliziumchips.